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假定GC理想的線性色譜模型所處理的氣體分子的吸附

日期:2019/12/06    瀏覽次數:0

   由于溫度下降到遠低于沸點Tb以下,吸附作用在該處實際上已不可逆,故出現一個指數分布的峰尾,其“平均沉積寬度”為=11Q/48DQ,海寧高容器過濾器D分別是載氣實際流速和被吸附物的擴散系數。在MonteCarlo模擬中,分子“跳躍”的平均距離接近。

   大多數研究者假定了GC理想的線性色譜模型,并且認為所處理的氣體分子的吸附為簡單吸附(nonactiveadsorption).但實際上,在許多情況下會發生化學吸附。最近Eicher確認了在不同的實驗條件下,在GC柱子中會產生解離吸附、締合吸附、替代吸附等不同吸附機制。這將有助于確定氣相分離中的化學形式以及選擇最佳實驗條件。

   Zvara研究了揮發性與分子幾何參數之間的關系,提出了一個普適公式:(2n-4)x2/Tb∝=l/xn=CN(SHONNON配位數),Tb為沸點,l為相鄰分子間原子M,X表面可能的最近距離,x為外推到C.N.=1時的鹵原子半徑,為CN相關數。該公式適用于分子型多鹵化物,式中比例系數是與CN無關的常數。對于檢驗過的許多已知的金屬或非金屬元素的高鹵化物和氧化物,包括SF6、ThF4或WBr6這樣差別很大的化合物,在大約15%的范圍內,該公式都是適用的。  


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